Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника - PDF

Description
Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76025, Україна Phone: Fax: University s Institution

Please download to get full document.

View again

of 79
All materials on our website are shared by users. If you have any questions about copyright issues, please report us to resolve them. We are always happy to assist you.
Information
Category:

History

Publish on:

Views: 9 | Pages: 79

Extension: PDF | Download: 0

Share
Transcript
Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76025, Україна Phone: Fax: University s Institution and Faculties Прикарпатський національний університет PreCarpathian National University Vasyl Stefanyk PreCarpathian National University was created on August, 26, 1992 on the base of Pedagogical (old: Stanislav Teacher s Institute) Institute, that founded on To now University prepare the bachelors, specialists, and master s on 32 specialization. For years the existence by educational establishment over specialists are prepared. On the faculties of University study about students. For them there are the created laboratories a computer, aoudioand videoclasses, other specialized cabinets, equipped by modern devices, computing engineering. The University comprises 11 educational institutes: Institute of Natural Sciences, Institute of Philology, Institute of Law, Institute of History and Political Science, Institute of Arts, Institute of Tourism and Management, Institute of Pedagogy, Institute of Pre-University and Further Education, Institute of the Humanities, Kolomyia Institute, Mukachevo Institute; 6 faculties: Faculty of Economics, Faculty of Mathematics and Informatics, Faculty of Physics and Technology, Faculty of Philosophy, Faculty of Physical Training and Sports, Region branches of University: Faculty of Foreign Languages), 3 colleges: Law College in Kalush, Kolomiya, Rakhiv, Ivano-Frankivsk, Kolomyia Pedagogical College, Verkhovyna Mukachevo, Dolyna, and Chortkiv College of Tourism and Hotel Business, 4 educational consulting centers. 2 Фізико-хімічний інститут Physical-Chemical Institute was created on the base of Vasyl Stefanyk PreCarpathian National University on Ivano-Frankivsk, 76000, Ukraine ; web-page:www.pu.if.ua/inst/phys_che Fax: +38 (03422) Основні наукові напрямки: 1. Технологія тонких плівок і наноструктур. 2. Технологія термоелектричних матеріалів. 3. Кристалохімія дефектної підсистеми і фізико-хімічні властивості кристалів і плівок. 4. Транспортні явища у кристалах. 5. Механізми розсіювання носіїв струму у тонких плівках і наноструктурах. Матеріали: 1. Халькогеніди свинцю, олова, германію (PbS, PbSe, PbTe, SnTe, GeTe). 2. Халькогеніди цинку і кадмію (ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe). 3 Фізико-хімічний інститут Physical-Chemical Institute was created on the base of Vasyl Stefanyk PreCarpathian National University on Ivano-Frankivsk, 76000, Ukraine ; web-page:www.pu.if.ua/inst/phys_che Fax: +38 (03422) Лабораторія технології тонких плівок 4 Фізико-хімічний інститут Physical-Chemical Institute was created on the base of Vasyl Stefanyk PreCarpathian National University on Ivano-Frankivsk, 76000, Ukraine ; web-page:www.pu.if.ua/inst/phys_che Fax: +38 (03422) Лабораторії електронної мікроскопії 5 Фізико-хімічний інститут Physical-Chemical Institute was created on the base of Vasyl Stefanyk PreCarpathian National University on Ivano-Frankivsk, 76000, Ukraine ; web-page:www.pu.if.ua/inst/phys_che Fax: +38 (03422) Лабораторії рентгеноструктурного аналізу 6 Фізико-хімічний інститут Physical-Chemical Institute was created on the base of Vasyl Stefanyk PreCarpathian National University on Ivano-Frankivsk, 76000, Ukraine ; web-page:www.pu.if.ua/inst/phys_che Fax: +38 (03422) Лабораторія кінетичних явищ 7 Науковий журнал Фізика і хімія твердого тіла (ФХТТ) Scientific Journal Physics and Chemistry of Solid State (PCSS) The articles are published in this journal over the following fields: Crystallochemistry and thermodynamics of Solid State; Physics, chemistry and technology of crystals and thin films; Physics and chemistry of surface; Nanostructures and nanotechnologies; The phase diagrams of equilibrium; Heterogenous systems and line-to-line interplays; Composite and structural materials; Information and electronic technologies; Physics and technics of Super High Frequency. Journal Physics and Chemistry of Solid State is include to the list of High Attestation Commission of Ukraine at the physics-mathematics, chemical, and technical branches of science as specialized scientific journal. 8 Міжнародні конференції з фізики ітехнологіїтонкихплівок(мкфттп) International Conference on Physics and Technology of Thin Films (ICPTTF) МКФТТП ICPTTF Topics Thin films technology (metals, semiconductors, dielectrics, conductive polymers) and their research methods. Physical-chemical properties of the films. Nanotechnologies and nanomaterials, quantum-size structures. Thin film elemental compounds for electronic devices. Thin films on information systems. Subjects development of perspective methods of thin films growth; defect formation, inter-phase interaction and relaxation processes; modeling of physical processes in films and structures on their basis; processes on the films surface and hetero-boundaries; organic conductive films; the applied aspects of thin films technology; thin films elements of electronic devices and integral microcircuits; mechanical properties of thin films and covers; disordered semiconductor materials. 9 Міжнародні конференції з фізики ітехнологіїтонкихплівок(мкфттп) International Conference on Physics and Technology of Thin Films (ICPTTF) МКФТТП ICPTTF The opening of XI International Conference on Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems ICPTTFN-ХI May, 7-12, 2007 (Huta, Ivano-Frankivsk region, Ukraine): in presidium from left Prof. Freik D.M., Prof. Myronyuk 10 I.F., academicians NAS of Ukraine Litovchenko V.G., and Stasyuk I.V., academicians NAS of Belarusj Tochytsky E.I. Міжнародні конференції з фізики ітехнологіїтонкихплівок(мкфттп) International Conference on Physics and Technology of Thin Films (ICPTTF) МКФТТП ICPTTF The participants of XI International Conference on Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems ICPTTFN-ХI 11 May, 7-12, 2007, Huta Village. Міжнародні конференції з фізики ітехнологіїтонкихплівок(мкфттп) International Conference on Physics and Technology of Thin Films (ICPTTF) МКФТТП ICPTTF The participants of XI International Conference on Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems ICPTTFN-ХIІ May, 18-23, 2009, Huta Village. 12 Міжнародні конференції з фізики ітехнологіїтонкихплівок(мкфттп) International Conference on Physics and Technology of Thin Films (ICPTTF) МКФТТП ICPTTF САНАТОРІЙ КАРПАТСЬКІ ЗОРІ м. Косів вул. Над Гуком, 15, Івано-Франківська область, 78600, Україна. Тел./факс , тел Міжнародні конференції з фізики ітехнологіїтонкихплівок(мкфттп) International Conference on Physics and Technology of Thin Films (ICPTTF) МКФТТП ICPTTF ГОТЕЛЬ ВЕРХОВИНА смт. Верховина, вул. Поповича Тел.: +38 (097) Міжнародні конференції з фізики ітехнологіїтонкихплівок(мкфттп) International Conference on Physics and Technology of Thin Films (ICPTTF) МКФТТП ICPTTF Санаторійпрофілакторій ЯРЕМЧЕ м. Яремче, вул. Свободи 330, Івано-Франківська обл., 78500, тел.(803434) 31224, Міжнародні конференції з фізики ітехнологіїтонкихплівок(мкфттп) International Conference on Physics and Technology of Thin Films (ICPTTF) МКФТТП ICPTTF РЕЗИДЕНЦІЯ СИНЬОГОРА село Гута, вул. Зарічна, 4 Богородчанський р-он, Івано-Франківська обл , Україна, тел. (0342) Міжнародні конференції з фізики ітехнологіїтонкихплівок(мкфттп) International Conference on Physics and Technology of Thin Films (ICPTTF) МКФТТП ICPTTF The participants of XI International Conference on Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems ICPTTFN-ХIІ May, 18-23, 2009, Huta Village. 17 Виїзна сесія Наукової ради НАН України зпроблеми Електрохімія січня 2013 року. 1 Технологічні аспекти наноструктур і проблеми термоелектрики Д.М. Фреїк, Л.Й. Межиловська 18 Виїзна сесія Наукової ради НАН України зпроблеми Електрохімія січня 2013 року. Зміст 1. Проблеми енергетичного забезпечення 2. Термоелектричні матеріали 3. Наноструктури 4. Технологія наноструктур 5. Розмірні ефекти у наноструктурах 6. Нанокомпозитні термоелектричні матеріали 7. Основні напрямки застосування термоелектричних пристроїв 8. Наші досягнення 9. Висновки 19 Виїзна сесія Наукової ради НАН України зпроблеми Електрохімія січня 2013 року. Проблеми енергетичного забезпечення Структура і обсяги використання енергоресурсів 20 Виїзна сесія Наукової ради НАН України зпроблеми Електрохімія січня 2013 року. Проблеми енергетичного забезпечення Реалії і тенденції використання енергоресурсів в Україні 21 Виїзна сесія Наукової ради НАН України зпроблеми Електрохімія січня 2013 року. Проблеми використання теплової енергії Залежність втрат теплової енергії від розподілу температур поверхні промислових агрегатів. П. Шестаковский. Термоэлектрические 22 источники альтернативного питания // Новые технологии. 12. с (2010). Виїзна сесія Наукової ради НАН України зпроблеми Електрохімія січня 2013 року. Термоелектричні ефекти в розв'язанні проблем цивілізації - термоелектричні генератори (ТЕГ) пряме перетворення тепла в електроенергію; термоелектричні охолоджувачі пряме охолодження об єкта шляхом пропускання струму через термоелемент. 23 Термоелектричні параметри Формула 2 ZT = S σt / k (1) Йоффе: де S-термо-ЕРС, σ - електропровідність, k-теплопровідність k = k + k Γ (2) e k е електронна теплопровідність, k г граткова теплопровідність. PF=S 2 σ [Втм -1 К -2 ] - коефіцієнт потужності, PTF=TS 2 σ [Втм -1 К -1 ] - температурний коефіцієнт потужності. Формула Мотта: Термоелектричні матеріали Закон Відемана- Франца: χ e L 0T σ = Для термоелектричних пристроїв використовують матеріали, для яких при 300К: S = мквк -1, σ = Ом -1 см -1, μ =10 3 см 2 В -1 с -1, n=10 18 см -3, Z=2, K -1, ZT=1. (3) PF = 0,004 Втм-1К-2, PTF = 0,5 Вт м-1к-1 S π Т ln σ π Т ln( υ gτ ) = = 3e E 3e E E = E F E = E F (4) Z термоелектрична добротність, S коефіцієнт Зеєбека, Т- абсолютна температура, e заряд електрона, σ електропровідність матеріалу, E F енергія Фермі, v швидкість носіїв, g густина станів, τ їх час релаксації, χ теплопровідність, χe- електонний вклад в теплопровідність, L 0 - стала Лоренца. 24 Виїзна сесія Наукової ради НАН України зпроблеми Електрохімія січня 2013 року. Термоелектричні матеріали Зростання добротності термоелектричних матеріалів 25 Термоелектричні матеріали Наноструктури Ріст кількості публікацій, які відносяться до термоелектрики у період з 1955 р. по 2007 р. Розвиток уявлень про можливості підвищення добротності наноматеріалів Ріст ZT багатьох типових термоелектричних матеріалів з часом 26 Наноструктури Типи наноструктур квантові точки ( КТ ) (quantum dots (QD) ) структури, розміри яких у всіх трьох напрямах становлять кілька міжатомних відстаней (у залежності від масштабу розгляду структура вважається нульвимірною або тривимірною); квантові нитки ( КН ) (quantum wires (QWr) ) структури, тозміри яких у двох напрямах становлять кілька міжатомних відстаней, а розмір у третьому напрямі являє собою макроскопічну величину; квантові стінки ( КС ), або квантові ями (quantum wells (QW)) структури, розмір яких в одному напрямі становить кілька міжатомних відстаней, арозміриудвохіншихнапрямахявляють собою макроскопічну величину. 27 Дві стратегії В області низькорозмірної термоелектрики з метою підвищення термоелектричної ефективності вводяться дві стратегії: 1) використання квантово-розмірних явищ для підвищення коефіцієнту Зеєбека S та для контролю S і електропровідності σ в деякій мірі незалежно; 2) введення численних границь, що розсіюють фонони більш ефективно ніж електрони, а також розсіюють переважно ті фонони, які мають найбільший вклад у теплопровідність. Можливість використання низькорозмірних матеріалів для термоелектричного підвищення продуктивності була наближена трьома концепціями: - carrier-pocket інженерія; - фільтрація енергії; Наноструктури Три концепції - перехід напівметал-напівпровідник (НМНП-перехід). 28 Технологія наноструктур Методи одержання наноматеріалів Група Основні види Об єкти Порошкова технологія Інтенсивна пластична деформація Контрольована кристалізація із аморфного стану Плівкова технологія Метод Глейтера (газо фазне осадження та комплектування) Гаряча обробка тиском Високі статистичні та динамічні тиски при звичайних та високих температурах Рівноканальне кутову пресування Деформація крученням Обробка тиском багатошарових композитів Фазовий наклеп Звичайні та високі тиски Хімічне осадження із газової фази (CVD) Фазове осадження із газової фази (PVD) Електроосадження Золь-гель технологія Метали, розплави, хімічні сполуки Метали, розплави Аморфні речовини Елементи, розплави, хімічні сполуки 29 Виїзна сесія Наукової ради НАН України зпроблеми Електрохімія січня 2013 року. Технологія наноструктур Молекулярно-променева епітаксія наноструктур 1 блок нагріву; 2 підкладка; 3 заслінка окремої комірки 4 ефузні комірки основних компонентів ГС; 5 - ефузні комірки легуючих домішок 30 Надгратки квантових точок. Модель. Технологія наноструктур Процеси росту (Stranski-Krastanov mechanism) а - утворення пірамідальних островків InAs в результаті трансформації плоских шарів цього напівпровідника (пунктир), вирощуваних на підкладці GaAs із Відмінними параметрами гратки; б система зв язаних вертикально квантових точок InAs на підкладці GaAs. В.И. Белявский Физические основы полупроводниковой нанотехнологии // Соросовский образовательный журнал. Физика. 10, 1998, с Технологія наноструктур Надгратки квантових точок. Структура. Полученные с помощью атомно-силовой микроскопии изображения верхнего (незарощенного) слоя квантовых точек PbSe при различных номинальных ростовых толщиных слоя PbSe (от одного до восьми монослоев) для сверхрешетки квантовых точек (100 периодов); квантовые точки выращивались при температуре 360 C. На вставке результат математической обработки (спектр мощност
Related Search
Similar documents
View more...
We Need Your Support
Thank you for visiting our website and your interest in our free products and services. We are nonprofit website to share and download documents. To the running of this website, we need your help to support us.

Thanks to everyone for your continued support.

No, Thanks